基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
TriQuint半导体公司推出两款采用新封装的1W和2W砷化镓(GaAs)射频驱动放大器——TQP7M9105、TQP7M9106,它们在CDMA、WCDMA和LTE基站或类似应用中能够提供一流的线性度、低功耗和先进的保护功能。这些高性能放大器具有极宽工作带宽并且非常坚固,
推荐文章
0.18μm CMOS射频低噪声放大器设计
CMOS
低噪声放大器
噪声系数
阻抗匹配
1.6GHz高线性高效率驱动放大器设计
驱动放大器
线性度
效率
高线性度 CMOS射频 AB类功率放大器设计
AB类
射频功率放大器
CMOS
线性度
效率
射频与微波功率放大器的分类研究现状
RF/MW
PA
发展趋势
文献调研
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 TQP7M9105/9106:射频驱动放大器
来源期刊 世界电子元器件 学科 工学
关键词 驱动放大器 射频 WCDMA 半导体公司 保护功能 砷化镓 线性度 LTE
年,卷(期) 2012,(10) 所属期刊栏目 全球Ic新品指南
研究方向 页码范围 27-27
页数 1页 分类号 TN948.53
字数 1207字 语种 中文
DOI
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2012(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
驱动放大器
射频
WCDMA
半导体公司
保护功能
砷化镓
线性度
LTE
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
世界电子元器件
月刊
1006-7604
11-3540/TN
16开
北京市北四环西路67号大地科技大厦1201-1218
82-796
1995
chi
出版文献量(篇)
5855
总下载数(次)
6
论文1v1指导