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摘要:
到2015年,我国将拥有多条45—90纳米的8英寸、12英寸生产线。2022年进入国际前列。不过随着集成度提高,硅晶片会遇到很多困难.例如芯片功耗急剧增加,极有可能将硅片融掉。以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等为代表的第二代半导体材料不断向硅提出挑战。
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半导体材料
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 半导体材料将走向“纳米化”
来源期刊 科学中国人 学科 工学
关键词 半导体材料 纳米化 硅晶片 生产线 集成度 砷化镓 第二代 磷化铟
年,卷(期) 2012,(8) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 57-57
页数 1页 分类号 TN304
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序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王占国 101 701 15.0 23.0
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研究主题发展历程
节点文献
半导体材料
纳米化
硅晶片
生产线
集成度
砷化镓
第二代
磷化铟
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
科学中国人
半月刊
1005-3573
11-3292/G3
大16开
北京市海淀区中关村大街28号海淀文化艺术
82-592
1995
chi
出版文献量(篇)
18375
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25
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