LiNb03：Cu：Ce晶体非挥发全息存储性能的理论研究

• 作者: 于文斌 张国庆 申岩 赵业权 郭志忠
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 双中心模型 全息存储 空间电荷场 隧穿效应
• 年，卷（期）: 2012,（18）
• 所属期刊栏目: 电磁学、光学、声学、传热学、经典力学和流体动力学
• 页码范围: 162-168
• 分类号: O734.1
• 语种: 中文

摘要

以双中心模型为基础，理论研究了LiNb03：Cu：Ce晶体在稳态情况下的非挥发双光双步全息存储性能．研究中考虑了在晶体深能级中心Cu＋／Cu2＋与浅能级中心Ce3＋／Ce4＋之间由隧穿效应引起的电荷直接交换过程．结果表明，总的空间电荷场大小主要由深能级上的空间电荷场所决定，并且非挥发全息存储性能主要由隧穿效应引起的深能级中心Cu＋／Cu。’与浅能级中心Ce3＋／Ce4＋之间的电荷直接交换过程所决定．与隧穿效应相关的材料参数对于非挥发双光双步全息存储的性能起到了至关重要的作用．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭志忠	哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院	219	5915	44.0	65.0
2	申岩	哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院	29	229	9.0	14.0
3	赵业权	哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院	45	164	6.0	11.0
4	于文斌	哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院	36	946	17.0	30.0
5	张国庆	哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院	55	1170	20.0	32.0