非聚焦电子束照射SiO_2薄膜带电效应

• 作者: 张海波 李维勤 鲁君
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 二氧化硅薄膜 电子束照射 带电效应 空间电荷
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 页码范围: 422-429
• 分类号: O484.5
• 语种: 中文

摘要

采用考虑电子散射、俘获、输运和自洽场的三维数值模型,模拟了低能非聚焦电子束照射接地SiO_2薄膜的带电效应.结果表明,由于电子的迁移和扩散,电子会渡越散射区域产生负空间电荷分布.空间电荷呈现在散射区域内为正,区域外为负的交替分布特性.对于薄膜负带电,电子会输运至导电衬底形成泄漏电流,其暂态过程随泄漏电流的增加趋于平衡.而正带电暂态过程随返回二次电子的增多而趋于平衡.在平衡态时,负带电表面电位随薄膜厚度、陷阱密度的增大而降低,随电子迁移率、薄膜介电常数的增大而升高;而正带电表面电位受它们影响较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海波	西安交通大学电子科学与技术系电子物理与器件教育部重点实验室	25	90	5.0	6.0
2	鲁君	西安理工大学自动化与信息工程学院	18	39	4.0	6.0