基于三角形势阱模型的InGaN/GaN异质结势阱自洽模拟

• 作者: 张开驹
• 来源期刊: 价值工程
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN/GaN 异质结 势阱 自洽
• 年，卷（期）: 2012,（35）
• 所属期刊栏目: 信息技术
• 页码范围: 163-165
• 页数: 3页
• 分类号: TP39
• 字数: 1966字
• 语种: 中文

摘要

本论文首先阐述了InGaN/GaN异质结的形成及XRD实验表征,然后基于三角形势阱模型,通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,对InGaN/GaN异质结势阱进行了自洽模拟计算,讨论了不同In组分对InGaN/GaN异质结势阱以及异质结界面附近电子浓度分布的影响.结果说明,通过求解薛定谔方程和泊松方程可以模拟InGaN/GaN异质结的势阱结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张开驹		4	8	2.0	2.0