一种改进的非线性匹配高阶补偿基准源的设计

• 作者: 唐宁 李佐 李琦
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准源 三阶补偿 电源电压抑制比 功耗
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 797-801
• 页数: 5页
• 分类号: TM132
• 字数: 2807字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2013.06.010

摘要

设计了一个改进的非线性匹配高阶补偿带隙基准源电路.该电路是在原非线性匹配二阶补偿的基础上,根据实际设计中遇到的问题改善了高温时基准的输出.本电路在一阶补偿和非线性二阶补偿后,对高温时基准输出作了三阶补偿,很大程度上增大了基准的工作温度范围.电路是采用CSMC 0.5μm标准CMOS工艺,仿真结果表明:在5 V的电压下,基准输出为1.001 56 V,温度在-50℃～150℃变化时,基准变化为0.5 mV,温漂小于3×10-6/℃,当电源从4V～6V变化时,基准变化为2 mV.低频时电源电压抑制比PSRR(Power Supply Rejection Ratio)为-85 dB,整个电路的功耗小于55 μW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐宁	桂林电子科技大学信息与通信学院	65	243	8.0	12.0
2	李琦	桂林电子科技大学信息与通信学院	30	53	4.0	5.0
3	李佐	桂林电子科技大学信息与通信学院	1	7	1.0	1.0