基于Si3N4掩模的太阳电池选择性掺杂工艺研究

• 作者: 张华 张竹青 李志锋 沈明荣 王强 花国然
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 选择性掺杂 太阳电池 光谱响应 工艺仿真 Si3N4掩模
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 259-263
• 分类号: TM914
• 语种: 中文

摘要

设计了基于Si3N4掩模的太阳电池选择性掺杂工艺,并对其工艺参数进行了仿真优化.选择性掺杂电池的一次掺杂条件为仿真所得最佳非选择性掺杂电池的工艺参数.运用SILVACO软件分别对选择性掺杂的时间、预淀积浓度和温度进行了仿真研究.仿真结果表明,随着选择性掺杂的预淀积浓度的增加,光谱响应率先增加后降低;随着扩散温度和扩散时间的增加,电池的光谱响应率逐渐减小.所得最佳选择性掺杂工艺参数为预淀积磷硅玻璃杂质浓度1×1019 cm-3、扩散温度800℃、扩散时间5 min.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张华	南通大学机械工程学院	51	133	7.0	9.0
2	王强	苏州大学物理科学与技术学院	63	216	8.0	12.0
6	沈明荣	苏州大学物理科学与技术学院	24	104	6.0	8.0
7	花国然	南通大学机械工程学院	76	214	7.0	11.0
8	张竹青	南通大学机械工程学院	12	15	2.0	3.0
9	李志锋		2	6	2.0	2.0