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摘要:
在半导体或者绝缘衬底上利用化学气相沉积方法生长石墨烯和在金属上生长石墨烯相比具有很明显的优势,它克服了前期转移石墨烯时引入的杂质污染和缺陷产生的问题.本文提出了一种新的近程催化的方法可以在蓝宝石衬底上直接进行石墨烯的生长.该方法利用了金属作为催化剂的优势,又避免了转移石墨烯的过程.该方法能制备出完全覆盖衬底的石墨烯,同时石墨烯畴的大小接近1μm.基于生长过程中石墨烯的成核和畴的生长,本文提出了近程催化的生长机理.
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文献信息
篇名 蓝宝石上石墨烯的近程催化生长研究
来源期刊 电子显微学报 学科 化学
关键词 石墨烯生长 近程催化 化学气相沉积 蓝宝石
年,卷(期) 2013,(5) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 365-371
页数 7页 分类号 O646|TB3|TG115.21+5.7
字数 4738字 语种 中文
DOI 10.3969/j.1000-6281.2013.05.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 俞大鹏 北京大学物理学院 23 162 6.0 12.0
2 吴孝松 北京大学物理学院 3 2 1.0 1.0
3 施图万 北京大学物理学院 1 2 1.0 1.0
4 陈建辉 北京大学物理学院 1 2 1.0 1.0
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2014(1)
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研究主题发展历程
节点文献
石墨烯生长
近程催化
化学气相沉积
蓝宝石
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子显微学报
双月刊
1000-6281
11-2295/TN
大16开
北京中关村北二条13号(北京2724信箱)
1982
chi
出版文献量(篇)
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3
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