(1102)γ面蓝宝石生长的(1120)α面氮化镓研究

• 作者: 倪金玉 张进城 张金凤 李志明 段焕涛 胡仕刚 许晟瑞 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 缺陷 氮化镓 X射线衍射 非极性
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 页码范围: 1049-1052,1058
• 页数: 5页
• 分类号: TN325
• 字数: 1582字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2009.06.017

摘要

自发极化和压电极化是氮化镓制作光电器件没有解决的问题,对非极性GaN材料的研究解决了极化现象.采用低温AIN作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨X射线衍射、光致发光谱比较了生长在γ面蓝宝石上的α面GaN和с面蓝宝石上的с面GaN,α面GaN材料质量和с面GaN相差较大,在α面GaN上发现了三角坑的表面形貌,这和传统的с面生长的极性GaN截然不同.对α面GaN的缺陷形成原因进行了讨论,并且确定了三角坑缺陷的晶向.