R面、C面蓝宝石上生长的InGaN多层量子点的发光性质研究

• 作者: 李昱峰 王占国 陈振 韩培德
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN 量子点 MOCVD
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 页码范围: 451-455
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2689字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2002.05.006

摘要

采用表面钝化和MOCVD低温生长在蓝宝石(0001)面(即C面)和蓝宝石(1102)面(即R面)上形成了InGaN量子点,并构成了该量子点的多层结构.原子力显微镜测试的结果表明单层InGaN量子点平均宽约40nm,高约15nm;而多层量子点上层的量子点则比单层的InGaN量子点大.R面蓝宝石衬底上生长的InGaN量子点和C面蓝宝石衬底上生长的InGaN量子点相比,其PL谱不仅强度高,而且没有多峰结构.这是由于在C面蓝宝石衬底上生长的InGaN/GaN多层量子点沿生长方向[0001]存在较强的内建电场,而在R面蓝宝石衬底上得到的多层量子点沿着生长方向[1120]没有内建电场.InGaN量子点变温光致发光(PL)谱研究发现量子点相关的峰有快速红移现象,这是量子点系统所特有的PL谱特征.用在R面蓝宝石上生长的InGaN量子点作有源层有望避免内建电场的影响,得到高量子效率且发光波长稳定的发光器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	101	701	15.0	23.0
2	韩培德	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	35	127	6.0	9.0
3	陈振	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	7	30	2.0	5.0
4	李昱峰	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	2	18	2.0	2.0