利用MOCVD在r面蓝宝石上生长的α面GaN中两步AlN缓冲层的优化

• 作者: 何涛 徐培强 戴隆贵 李辉 王小丽 王文新 陈弘 陈耀
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 各向异性 X射线衍射 AlN 缓冲层
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 363-367
• 分类号: O472|O482.31
• 字数: 1736字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113204.0363

摘要

采用两步AlN缓冲层(一层低温AlN和一层高温AlN)在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的α面GaN,并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所生长的材料进行了研究.两步AIN缓冲层在我们之前的工作中已被证明比单步高温AlN或低温GaN缓冲层更有利于减小材料各向异性和提高晶体质量,本文进一步优化了两步AlN缓冲层的结构,并得到了各向异性更小,晶体质量更好的α面GaN薄膜.分析表明,两步AlN缓冲层中的低温AlN层在减小各向异性中起着关键作用.低温AlN层能抑制了优势方向(c轴)的原子迁移,有利于劣势方向(m轴)的原子迁移,从而减小了Al原子在不同方向迁移能力的差异,并为其后的高温AlN缓冲层和GaN层提供"生长模板",以得到各向异性更小、晶体质量更好的α面GaN材料.