MOCVD两步生长法制备GaN量子点

• 作者: 刘小勇 周玉刚 杭寅 沈波 王牧 臧岚 郑有 闵乃本 陈志忠 陈鹏 黄振春
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 工学
• 关键词: GaN量子点 金属有机化学气相沉积 中间亚稳态相
• 年，卷（期）: 1998,（6）
• 所属期刊栏目: 研究通讯
• 页码范围: 5-8
• 分类号: TQ2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.1998.06.002

摘要

报道了用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上成功地制备出GaN量子点.采用了500℃低温沉积和1050℃高温退火的两步制备法制备出密度为5×108cm-2～6×109cm-2、直径约40nm的GaN量子点.GaN量子点的密度和大小由原子力显微镜(AFM)观察测得,并由制备温度和时间所控制.观察到GaN量子点仅在高温退火后生成,这可解释为由于低温沉积,最初的沉积层中的应变能得不到释放而成为具有较高能量的中间亚稳态相,高温退火使得应变能得到释放,生成GaN量子点.