热氧化温度对基于硅纳米线阵列太阳电池性能的影响

• 作者: 林星星
• 来源期刊: 上海电机学院学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 热氧化 硅纳米线阵列 钝化 太阳电池
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 数理科学
• 页码范围: 83-87
• 页数: 5页
• 分类号: O472.2
• 字数: 2923字
• 语种: 中文

摘要

通过干氧热氧化方法在硅纳米线阵列表面生长一层SiO2钝化膜,研究不同热氧化温度对硅纳米线阵列的钝化效果的影响.实验结果表明,在850℃热氧化温度下得到SiO2钝化膜具有最佳的钝化效果.经过该方式钝化后的硅纳米线阵列具有最大的有效少子寿命,最好的内量子效率曲线,以及最好的太阳能转换效率.与未做热氧化钝化处理的基于硅纳米线阵列电池相比,该电池的短路电流、开路电压和转换效率分别提高了96 mA、12.7 mV和0.99％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林星星	上海电机学院数理教学部	6	4	2.0	2.0