气相掺杂区熔硅单晶的掺杂剂量计算方法研究

• 作者: 史继祥 索开南
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 气相掺杂 电阻率 区熔 原子浓度
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 所属期刊栏目: 新技术应用与研究
• 页码范围: 50-53
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 2551字
• 语种: 中文

摘要

随着电力电子技术的发展,对高品质低阻高寿气相掺杂区熔硅单晶的需求越来越紧迫,欧美主要国家的气相掺杂区熔硅单晶生长技术已经趋于成熟,而我国还处于起步阶段.主要从理论方面分析气相掺杂过程PH3进入晶体中的方式和过程,并对掺入量的计算过程进行了详细说明.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史继祥	中国电子科技集团公司第四十六研究所	8	5	2.0	2.0
2	索开南	中国电子科技集团公司第四十六研究所	17	27	3.0	4.0