区熔(FZ)硅单晶气相掺杂电阻率的理论计算

• 作者: 周旗钢 方锋 曲翔 汪丽都 闫志瑞 陈海滨
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 气相掺杂 区熔硅单晶 电阻率
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 456-460
• 页数: 5页
• 分类号: O734
• 字数: 3053字
• 语种: 中文

摘要

气相掺杂法因其简易灵活、生产周期短、成本较低的优点成为生产区熔硅单晶重要的辅助方法.本文根据区熔(FZ)硅单晶气相掺杂原理,结合单晶生长速度、单晶直径、气体流量、气体浓度、掺杂物的分凝、单晶对掺杂气体吸收率等一系列生长条件,进行理论计算并与实际生产相结合,进一步推算出掺杂量与电阻率关系的公式.通过该公式,可以更加准确控制气相掺杂硅单晶的电阻率,使理论计算与实际电阻率误差从20％降低到10％,从而降低生产成本.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周旗钢		35	176	8.0	12.0
2	闫志瑞		11	30	2.0	5.0
4	曲翔		2	1	1.0	1.0
8	陈海滨		1	1	1.0	1.0
9	方锋		1	1	1.0	1.0
10	汪丽都		1	1	1.0	1.0