抛光腐蚀深度对多晶硅片抛光与位错刻蚀效果的影响

• 作者: 周剑 周浪 周潘兵 张美霞 张运锋 辛超 魏秀琴
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 抛光 多晶硅片 位错 抛光腐蚀深度
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 页码范围: 213-217
• 页数: 5页
• 分类号: TG175.3
• 字数: 2544字
• 语种: 中文

摘要

对抛光液新旧程度、抛光时间、抛光腐蚀深度等条件对多晶硅片抛光与位错刻蚀显示效果的影响进行实验研究.发现多晶硅片抛光效果与抛光时间无直接对应关系,而取决于抛光腐蚀深度.当硅片抛光腐蚀深度小于45 μm时,抛光效果不佳,而大于此深度时,抛光效果良好.多晶硅片抛光腐蚀深度会明显影响之后刻蚀显示的位错密度,较浅时得到的位错密度值将偏高,影响区的深度大于19μm.提出一个表征化学腐蚀抛光液新旧程度的参数——硅溶解系数K,给出了抛光腐蚀速率、抛光液表观色泽与K值之间的明确对应关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张运锋		3	4	2.0	2.0
2	张美霞		1	2	1.0	1.0