雾化施液抛光硅片位错的化学腐蚀形貌分析

• 作者: 壮筱凯 李庆忠
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 雾化施液 硅片 位错腐蚀坑 传统抛光 雾化参数
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 表面质量控制及检测 Surface Quality Control and Detection
• 页码范围: 129-135
• 页数: 7页
• 分类号: TG175
• 字数: 2838字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.05.024

摘要

目的：研究硅片经雾化施液抛光技术加工后存在的位错缺陷。方法应用化学腐蚀法、光学方法分析硅片不同部位的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布,通过单因素实验研究雾化参数对位错形貌和位错密度的影响规律。在相同的工艺参数下,和传统抛光进行对比实验。结果雾化抛光硅片的平均位错密度为1.2×104/cm2,边沿处的位错密度小于其他区域。在相同的工艺参数下,雾化施液CMP的抛光液消耗量约为传统CMP的1/10,但硅片的位错腐蚀形貌和位错密度明显好于传统抛光,且蚀坑分布均匀分散,没有出现位错排等严重缺陷。通过增大雾化器的出雾量能有效改善硅片表层的位错缺陷。结论相对于传统抛光,雾化施液抛光技术能更加高效地去除硅片的位错缺陷。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李庆忠	江南大学机械工程学院	47	113	5.0	6.0
2	壮筱凯	江南大学机械工程学院	2	5	1.0	2.0