雾化施液单晶硅互抛抛光速率实验研究

• 作者: 孙苏磊 李庆忠 李强强
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 雾化互抛抛光 抛光参数 电化学 抛光速率
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 专题论文
• 页码范围: 2369-2374,2383
• 页数: 7页
• 分类号: TU161+.14
• 字数: 4501字
• 语种: 中文

摘要

调节自配抛光液的H2 O2含量、pH值、抛光盘转速和抛光压力,通过电化学实验,探究单晶硅互抛抛光过程中抛光工艺参数对腐蚀电位、腐蚀电流和抛光速率的影响规律,并解释其电化学机理.实验结果表明:雾化施液单晶硅互抛抛光速率随着pH值、H2 O2浓度和抛光盘转速的增大呈现先增大后减小的趋势,并在pH值为10.5、H2 O2浓度为2％、抛光盘转速为70 r/min处达到最大值,随着抛光压力的不断增大而增大;通过雾化施液单晶硅互抛抛光实验得到合理的工艺参数:pH值为10.5、H2 O2浓度为2％、抛光盘转速为60 r/min、抛光压力为7 psi,在该参数下,硅片的抛光速率达到635.2 nm/min,表面粗糙度达到4.01 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李庆忠	江南大学机械工程学院	47	113	5.0	6.0
2	李强强	江南大学机械工程学院	3	0	0.0	0.0
3	孙苏磊	江南大学机械工程学院	3	0	0.0	0.0