线切割硅片表面探究

• 作者: 杨士超 栾国旗 马玉通
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 损伤层 硅片 破片率 SIC砂
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体制造工艺与设备
• 页码范围: 6-8
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.1
• 字数: 1328字
• 语种: 中文

摘要

硅片的表面损伤层,关系到切割后破片率及面的形状等.通过对硅片表面分析,发现硅片表面呈蜂窝状,有大孔、小孔和微孔.硅片侧面边缘呈山峰山沟状,并伴随有裂纹,从外向里分为表面镶嵌层和缺陷应力层.通过对硅片表面损伤的形成机理研究,发现通过以下调整可以减小表面损伤和提高表面质量:一是减小切割时的晶体所受到的垂直压力;二是调整碳化硅的直径分布系数,圆度系数,堆积密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马玉通	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	31	4.0	5.0
2	栾国旗	中国电子科技集团公司第四十六研究所	3	8	2.0	2.0
3	杨士超	中国电子科技集团公司第四十六研究所	4	12	1.0	3.0