有源忆阻器伏安关系与有源忆阻电路频率特性研究

• 作者: 包伯成 武花干 胡文 邹相
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 有源忆阻器 伏安关系 有源WC电路 频率特性
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 593-597
• 页数: 5页
• 分类号: TM13
• 字数: 3028字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2013.03.029

摘要

忆阻器是具有记忆特性的非线性电阻器,是物理上新实现的第四种基本二端电路元件.以分段二次型非线性函数描述的有源磁控忆阻器为例,分析了有源忆阻器的伏安关系,研究了有源忆阻器与电容串联电路(简称有源WC电路)的频率响应特性,并与有源RC电路进行了比较分析.结果表明:有源忆阻器的伏安特性曲线为紧磁滞回线,且依赖于其内部初始状态；有源WC电路与有源RC电路均呈现高通特性,但前者为超前网络而后者为滞后网络.基于有源磁控忆阻器的等效电路进行了电路仿真,其结果很好地验证了理论分析结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	包伯成	常州大学信息科学与工程学院	49	509	13.0	20.0
2	胡文	南京航空航天大学电子信息工程学院	28	215	8.0	14.0
3	武花干	南京理工大学电子工程系	10	98	6.0	9.0
4	邹相	常州大学信息科学与工程学院	1	16	1.0	1.0