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摘要:
基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低噪声、高增益、高线性度的差分CMOS低噪声放大器.与传统的共源共栅结构相比,在共栅极上引入一对交叉耦合电容和电感,以消除共栅极的噪声并提高电路的线性度和增益.仿真结果表明,在2.45GHz的工作频率下,该电路的噪声系数仅有1.3dB,该电路能够提供17.8 dB的正向增益,良好的输入输出匹配,该放大器的输入三阶交调点为-0.9dBm,功耗小于10 mW.
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文献信息
篇名 基于噪声抵消和线性度提高的差分LNA的设计
来源期刊 微型电脑应用 学科 工学
关键词 低噪声放大器 线性度提高 低噪声 交叉耦合电容
年,卷(期) 2013,(3) 所属期刊栏目 研究与设计
研究方向 页码范围 14-16
页数 3页 分类号 TN722.3
字数 1534字 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
低噪声放大器
线性度提高
低噪声
交叉耦合电容
研究起点
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期刊影响力
微型电脑应用
月刊
1007-757X
31-1634/TP
16开
上海市华山路1954号上海交通大学铸锻楼314室
4-506
1984
chi
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