InP晶片位错密度的测量与分析

• 作者: 刘志国 孙聂枫 李岚 李晓岚 杨瑞霞 黄清芳
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟 湿法腐蚀 腐蚀速率 位错密度(EPD) 热应力
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 215-219
• 分类号: TN304.23|O772
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2013.04.004

摘要

采用湿法腐蚀方法研究了HCl,H3PO4和HBr等不同腐蚀液在显示＜100＞InP晶片位错中的作用,及腐蚀温度、腐蚀时间、光照条件等因素对腐蚀速率和腐蚀效果的影响,最后统计3英寸(1英寸=2.54 cm)＜100＞InP晶片位错密度分布,分析其位错产生原因.经过实验表明,单一的HCl或H3 PO4腐蚀剂无法显示出＜100＞InP晶片的位错坑,而单一的HBr能够很好地显示出四方形的位错坑.在＜100＞InP晶片的混合位错腐蚀液中,HBr占主导作用,HCl及H3PO4起辅助作用.在腐蚀过程中提供光照或者提高腐蚀温度都可以明显提高腐蚀速率.在光照条件下,半导体会激发出空穴-电子对,在半导体表面增加载流子可以有效提高反应速率,从而提高腐蚀速率.化学反应速率常数k随温度升高呈指数升高,所以提高腐蚀温度可以有效提高腐蚀速率.InP晶片位错主要是由晶体内部热应力引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	刘志国	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	9	3.0	3.0
4	孙聂枫		8	24	3.0	4.0
7	李晓岚	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	21	3.0	4.0
8	李岚	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	16	2.0	4.0
9	黄清芳	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	3	1.0	1.0