具有侧面柱状结构的高压LED芯片制备

• 作者: 吴跃峰 王洪 钟炯生 黄华茂
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: 高压发光二极管(HV-LED) 侧面柱状结构 光提取效率
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 1906-1910
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 语种: 中文

摘要

设计制作了一种具有侧面柱状结构的高压发光二极管(HV-LED)芯片,与未作侧面柱状结构的HV-LED芯片相比,在正向电流20 mA下,其光功率提高了7.6％,而正向电压和波长基本维持不变.对这两种HV-LED芯片的电流和电压以及电流和光功率的关系进行研究.封装白光后的测试结果表明,在色温4500 K、驱动电流20 mA下,具有侧面柱状结构的HV-LED芯片光效达125.6 lm/W.在标准测试温度为20℃、正向电流为20 mA驱动下,具有侧面柱状结构的HV-LED芯片封装老化测试1000 h后,光衰仅为2％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王洪		61	412	10.0	18.0
2	黄华茂		13	58	5.0	7.0
3	吴跃峰		1	0	0.0	0.0
4	钟炯生		1	0	0.0	0.0