适用于位交叉布局的低电压SRAM单元

• 作者: 吴峰锋 徐越 徐鹤卿 李涛 王源 贾嵩
• 来源期刊: 北京大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: SRAM单元 低电压 静态噪声容限 位交叉结构
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 721-724
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文

摘要

提出一种9管单端SRAM单元结构,该种SRAM单元采用读写分离方式,具有较高的保持稳定性和读稳定性.该单元采用新的写操作方式,使由其组成的存储阵列中,处于“假读”状态的单元仍具有较高的稳定性,因此在布局时能够采用位交叉布局,进而采用简单的错误纠正码(ECC)方式解决由软失效引起的多比特错误问题.仿真结果显示,当电源电压为300 mV时,该种结构的静态噪声容限为100 mV,处于“假读”状态的单元静态噪声容限为70 mV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李涛	北京大学信息科学技术学院微电子系	111	633	13.0	20.0
2	贾嵩	北京大学信息科学技术学院微电子系	19	79	5.0	8.0
3	王源	北京大学信息科学技术学院微电子系	20	87	5.0	9.0
4	徐鹤卿	北京大学信息科学技术学院微电子系	1	1	1.0	1.0
5	吴峰锋	北京大学信息科学技术学院微电子系	2	5	1.0	2.0
6	徐越	北京大学信息科学技术学院微电子系	4	1	1.0	1.0