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摘要:
提出一种9管单端SRAM单元结构,该种SRAM单元采用读写分离方式,具有较高的保持稳定性和读稳定性.该单元采用新的写操作方式,使由其组成的存储阵列中,处于“假读”状态的单元仍具有较高的稳定性,因此在布局时能够采用位交叉布局,进而采用简单的错误纠正码(ECC)方式解决由软失效引起的多比特错误问题.仿真结果显示,当电源电压为300 mV时,该种结构的静态噪声容限为100 mV,处于“假读”状态的单元静态噪声容限为70 mV.
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文献信息
篇名 适用于位交叉布局的低电压SRAM单元
来源期刊 北京大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 SRAM单元 低电压 静态噪声容限 位交叉结构
年,卷(期) 2013,(4) 所属期刊栏目 研究简报
研究方向 页码范围 721-724
页数 4页 分类号 TN4
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李涛 北京大学信息科学技术学院微电子系 111 633 13.0 20.0
2 贾嵩 北京大学信息科学技术学院微电子系 19 79 5.0 8.0
3 王源 北京大学信息科学技术学院微电子系 20 87 5.0 9.0
4 徐鹤卿 北京大学信息科学技术学院微电子系 1 1 1.0 1.0
5 吴峰锋 北京大学信息科学技术学院微电子系 2 5 1.0 2.0
6 徐越 北京大学信息科学技术学院微电子系 4 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
SRAM单元
低电压
静态噪声容限
位交叉结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
北京大学学报(自然科学版)
双月刊
0479-8023
11-2442/N
16开
北京海淀北京大学校内
2-89
1955
chi
出版文献量(篇)
3152
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