高压下XeF2结构和电子性质的第一性原理研究

• 作者: 廖大麟 李佐 王朴 程新路
• 来源期刊: 四川师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 二氟化氙 态密度 高压
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 基础理论
• 页码范围: 907-910
• 页数: 4页
• 分类号: O521+.2
• 字数: 1568字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2013.06.019

摘要

二氟化氙(XeF2)晶体是一种重要的化学刻蚀材料和激光器件材料.利用密度泛函理论(DFT),分别采用广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)对XeF2晶体在0～ 120 GPa范围内的结构进行相关分子动力学模拟,得到了压强-体积(p-V)关系.结果表明,低压下用2种方法得到的XeF2晶体数据与实验比较吻合.同时,分析了高压下原子态密度的变化,得到了XeF2晶体带隙与压强的变化关系,表明XeF2晶体在高压下是一种半导体材料.研究其在高压下的变化特征,对实验研究具有一定参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程新路	四川大学原子与分子物理研究所	174	597	12.0	14.0
2	王朴	毕节学院理学院	12	23	2.0	4.0
3	廖大麟	毕节学院理学院	2	23	2.0	2.0
4	李佐	毕节学院理学院	3	7	2.0	2.0