双面HIT太阳电池TCO与非晶硅界面势垒的模拟优化

• 作者: 任瑞晨 史力斌 张研研 李彩霞
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳电池 异质结 TCO 势垒
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 659-664
• 页数: 6页
• 分类号: TK511.4
• 字数: 2288字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2013.04.025

摘要

采用美国滨州大学研发的AMPS-1D软件,模拟了TCO与非晶硅界面势垒对TCO/a-Si:H(p+)/a-Si:H(i)/c-Si(n)/a-Si:H(i) /a-Si:H(n+)/TCO双面HIT异质结太阳电池光伏特性的影响.结果表明太阳电池的TCO/p+前接触界面势垒(对于电子)越高,越易形成欧姆接触,且电池的短波响应增强,使电池性能变好.模拟还发现,n+/TCO背接触界面势垒(对于电子)越低,电池性能越好.若背场重掺杂,在背接触势垒小于等于0.5 eV时,电池的转换效率不会受到背接触势垒的影响；若背场低掺杂,在背接触势垒很小的情况下,也能达到与重掺杂相同的转换效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任瑞晨	辽宁工程技术大学矿业学院	109	568	12.0	15.0
2	李彩霞	辽宁工程技术大学矿业学院	74	355	10.0	13.0
3	史力斌	渤海大学新能源学院	28	74	5.0	6.0
4	张研研	辽宁工程技术大学矿业学院	20	37	3.0	5.0