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摘要:
单晶硅片的晶向是大规模集成电路衬底材料的一个重要参数.硅片的晶向是根据单晶的生长晶向以一定的角度粘结固定到多线切割机的工作台上切割实现的.但是在实际粘结操作过程中,单晶棒易滑移导致角度产生偏差从而影响到加工后的硅片晶向超差而报废.为了明确粘结角度偏差对切割后硅片晶向的影响关系,在产生误差的情况下做出科学正确的判断,对粘结角度的计算原理进行了推导,得出了单晶棒X-ray定向仪的计算原理.在此基础上,对粘结产生的角度误差对晶向的影响关系进行了理论推导,得出了它们之间的明确影响关系的函数关系.此函数关系表明,粘结过程的角度误差对硅片晶向的影响是复杂的反三角函数关系,必须通过实际计算才能确定其大小.通过此函数关系,可以明确的确定单晶棒粘结的角度偏差对硅片晶向的影响,为科学的现场判断提供了理论依据,能有效的服务于生产实际.
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文献信息
篇名 多线切割加工中单晶硅片晶向影响关系研究
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 单晶 硅片 晶向 多线切割 单晶棒
年,卷(期) 2013,(11) 所属期刊栏目 半导体器件制造工艺与设备
研究方向 页码范围 4-7,18
页数 5页 分类号 TN305.1
字数 2450字 语种 中文
DOI
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黎振 1 2 1.0 1.0
2 徐超辉 1 2 1.0 1.0
3 王群 1 2 1.0 1.0
4 付翔 1 2 1.0 1.0
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单晶
硅片
晶向
多线切割
单晶棒
研究起点
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期刊影响力
电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
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10002
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