首件国产高压IGBT芯片

• 来源期刊: 光学精密机械
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT模块 高压大功率 芯片封装 国产 绝缘栅双极型晶体管 自主设计 中国芯 自主研发
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 34-35
• 页数: 2页
• 分类号: TN322.8

摘要

我国自主研发的高压大功率3300V／50AIGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片及由此芯片封装的大功率1200M3300VIGBT模块，今天通过专家鉴定。中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。 由中国北车设计开发的3300V／50AIGBT芯片，是国内首件自主设计制造的高压IGBT芯片，迈开了国产IGBT功率“芯脏”替代进口的步伐。