场效应管及IGBT的应用和发展趋势

• 作者: 赵传富
• 来源期刊: 建材与装饰
• 关键词: 场效应管 IGBT 应用 发展趋势
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 工艺与设备
• 页码范围: 142-144
• 页数: 3页
• 字数: 2942字
• 语种: 中文

摘要

IGBT作为电力电子系统的一种关键电力半导体器件已经持续增长了若干年,这是因为它使电力电子装置和设备实现了更高的效率,也实现了小型化的设计.这就意味着IGBT器件的应用领域已经扩展到很宽的范围,不仅在工业中,而且在许多其他功率变换系统中,它已经取代了大功率双极晶体管(GTR)、功率MOS场效应管(MOSFET),甚至出现替代门关断晶闸管(GTO)的现实趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵传富		2	2	1.0	1.0