MgO掺杂对ZnO基线性电阻陶瓷性能的影响

• 作者: 何日青 张继华 杨传仁 赵强 陈宏伟
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 线性电阻陶瓷 电阻率 电阻温度系数 伏-安(V-I)特性
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 压电功能材料
• 页码范围: 592-594,598
• 页数: 4页
• 分类号: TM283
• 字数: 2634字
• 语种: 中文

摘要

以ZnO为基添加Al2O3和MgO制备了导电陶瓷；研究了MgO掺杂含量对ZnO陶瓷电阻率、电阻温度系数和相对密度的影响;测试分析了ZnO导电陶瓷在室温小电流时的伏安特性.结果表明,ZnO-Al2O3-MgO系陶瓷具有线性的伏-安(V-I)特性;添加MgO能增大电阻率且可改善电阻温度系数,当x(MgO) =5％时,小电流电阻率为178 Ω·cm,电阻温度系数为－1.5×10-3/℃;适量的MgO含量有利于烧结致密化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵强	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	35	190	6.0	13.0
2	杨传仁	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	69	525	11.0	18.0
3	陈宏伟	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	51	360	10.0	15.0
4	张继华	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	47	193	8.0	9.0
5	何日青	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	4	1.0	1.0