基于金属氧化物半导体晶体管Colpitts混沌振荡电路及其同步研究

• 作者: 万钊 徐浩 王春华 胡燕
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: Colpitts混沌 金属氧化物半导体晶体管 低电压 误差反馈同步
• 年，卷（期）: 2013,（20）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 498-505
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.208401

摘要

用金属氧化物半导体(MOS)晶体管模型取代传统Colpitts混沌振荡电路中的三极管模型，提出了一种基于MOS管的Colpitts混沌振荡电路。通过合适的归一化方法，得到了与基于三极管电路类似的状态模型。平衡点的指标说明两种结构产生混沌的机理并不相同。然后，通过参数反演，得到了详细的电路参数，并用Pspice软件仿真得到了混沌吸引子和混沌信号的频谱图，说明了此结构可在低电压下工作并且能产生高频率的混沌信号。最后，用误差反馈的方法实现了这种结构的同步。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王春华	湖南大学信息科学与工程学院	67	404	12.0	16.0
2	徐浩	湖南大学信息科学与工程学院	6	59	4.0	6.0
3	胡燕	湖南大学信息科学与工程学院	4	17	2.0	4.0
4	万钊	湖南大学信息科学与工程学院	1	2	1.0	1.0