Fe对InP材料电子结构及光学性质的调控机理研究

• 作者: 周祎 张昌文 王培吉
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 能带结构 态密度 光学性质 介电函数
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 页码范围: 2432-2438
• 页数: 7页
• 分类号: O472
• 字数: 4578字
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论的线性缀加平面波(FLAPW)方法,研究了3d族过渡金属元素Fe对Ⅲ-Ⅴ族半导体InP的电子结构和光学性质的调控机理,并对其能带结构和电荷密度分布进行了分析.结果表明,InP为直接带隙半导体,其价带主要由P-3s和3p态构成,而导带则由In-5s电子态构成.当Fe元素替代In原子后,由于Fe和P原子的轨道杂化作用,InP带隙中出现杂质态,Fe-3d态产生自旋极化效应.随着Fe的掺杂浓度增大,Fe-P原子之间轨道杂化作用明显增加,费米能级逐渐进入价带,这导致了材料的电子跃迁几率提高,光学吸收边明显增强,跃迁峰发生红移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王培吉	济南大学物理科学与技术学院	55	321	11.0	13.0
2	张昌文	济南大学物理科学与技术学院	16	124	8.0	11.0
3	周祎	济南大学物理科学与技术学院	1	2	1.0	1.0