RF-PECVD法制备高Ge含量微晶Si-Ge薄膜及太阳电池

• 作者: 倪牮 张建军 曹宇 李天微 杨旭 耿新华 赵颖 马俊 黄振华
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 微晶Si-Ge(μc-SiGe:H) 衬底温度 太阳电池
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 924-929
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 语种: 中文

摘要

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,研究了衬底温度对高Ge含量(≈50％)微晶Si-Ge(μc-SiGe:H)薄膜结构特性和电学特性的影响.结果表明:较低的衬底温度会抑制μc-SiGe:H薄膜(220)晶向的择优生长；而当衬底温度过高时,μc-SiGe:H薄膜的O含量和微结构因子较大.在衬底温度为200℃时,获得了光电特性和结构特性较优的高Ge含量μc-SiGe:H薄膜.将优化好的μc-SiGe:H薄膜应用到电池中,在本征层为600 nm的情况下,获得了转换效率为3.31％(Jsc=22.5 mA/cm2,Voc=0.32 V,FF=0.46)的单结μc-SiGe:H电池,电池在1100 nm处的光谱响应达5.49％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	耿新华		62	364	13.0	17.0
2	赵颖		105	1195	16.0	33.0
3	张建军		26	54	5.0	7.0
4	杨旭		15	93	4.0	9.0
5	曹宇		12	64	5.0	8.0
6	黄振华		2	0	0.0	0.0
7	倪牮		11	10	2.0	3.0
8	李天微		2	0	0.0	0.0
9	马俊		6	25	3.0	5.0