7 MPa氮压下Na助熔剂法生长GaN晶体的研究

• 作者: 周明斌 徐卓 李振荣 范世(马岂)
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 温度梯度 GaN晶体 Na助熔剂法
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 页码范围: 203-207,225
• 页数: 6页
• 分类号: O782
• 字数: 3679字
• 语种: 中文

摘要

采用Na助熔剂法在7 MPa氮压下并引入较大温度梯度(20～70℃/cm),获得了大量毫米级的GaN晶体,GaN晶体产率高达70％以上.光学及SEM照片显示其晶形大部分为六方锥体.晶体粉末衍射分析表明,生成的GaN单晶具有六方纤锌矿结构,与标准卡片符合得很好,而单晶衍射图谱中出现(1011)的衍射峰,说明GaN单晶锥面为{1011},其(1011)面的摇摆曲线的半高宽仅为4.4 arcsec,室温下采用He-Cd 325 nm激光器激发的GaN单晶的PL谱,最高峰位于标准GaN材料的365nm处,峰的半高宽为13.5 nm,生长的GaN单晶完整性较高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周明斌		1	4	1.0	1.0
2	李振荣		1	4	1.0	1.0
3	范世(马岂)		1	4	1.0	1.0
4	徐卓		1	4	1.0	1.0