N2流量对GaN的形貌及光学和电学性能的影响

• 作者: 余春燕 王坤鹏 翟光美 翟化松 董海亮 许并社
• 来源期刊: 无机化学学报
• 学科: 工学
• 关键词: N2流量 GaN微米棒 蠕虫状GaN GaN纳米线 化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 2027-2033
• 页数: 7页
• 分类号: TN304
• 字数: 2886字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4861.2013.00.323

摘要

采用化学气相沉积法(CVD)在Si(100)衬底上以Ni为催化剂,金属Ga和NH3为原料合成了GaN微纳米结构,并研究了N2流量对产物GaN的形貌及光学和电学性能的影响.利用场发射扫描电子显微镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、X-ray能谱仪(EDS)、光致发光谱(PL)和霍尔效应测试仪(HMS-3000)等测试手段对样品的形貌、结构、成分、光学和电学性能进行了分析.结果表明,随着N2流量的增加,产物GaN的形貌发生了由微米棒到蠕虫状线再到光滑纳米线的转变;生成的GaN均为六方纤锌矿结构；样品均表现出383 nm的近带边紫外发射峰和470 nm左右的蓝光发射峰；所有样品均为p型；并对产物GaN的形貌转变机理进行了分析.