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摘要:
半导体功率器件IGBT的电气性能与结温关系密切,研究其在不同结温下的电气参数特性对于提高应用器件的可靠性具有重要的意义.论文基于IGBT结构和半导体物理理论,通过实验测试分析了IGBT击穿电压、集电极漏电流、栅极门槛电压、开关时间等参数与温度的关系,并得到了这些参数的温度特性曲线.
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文献信息
篇名 IGBT电气参数的温度特性分析
来源期刊 计算机与数字工程 学科 工学
关键词 IGBT 电气参数 温度特性
年,卷(期) 2013,(6) 所属期刊栏目 工程实践
研究方向 页码范围 999-1001
页数 3页 分类号 TP391
字数 2871字 语种 中文
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计算机与数字工程
月刊
1672-9722
42-1372/TP
大16开
武汉市东湖新技术开发区凤凰产业园藏龙北路1号
1973
chi
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