垂直多结PPD像素势阱容量与电荷转移研究

• 作者: 李天琦 杜斌 杨晓亮 马超龙
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS图像传感器 势阱容量 电荷转移
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 所属期刊栏目: 电子·电路
• 页码范围: 166-168,172
• 页数: 4页
• 分类号: TP212
• 字数: 2254字
• 语种: 中文

摘要

研究了一种具有垂直多结结构的CMOS图像传感器四管像素结构,通过引入垂直多结结构可扩展感光区的势阱容量,增大耗尽区,提高信号电荷收集效率,特别对于长波长光波的吸收大幅增加.并为减小垂直多结结构的图像拖影现象,在N区水平方向上进行梯度掺杂,消除了电位障,使得信号电荷更易向外传输,从而减小图像拖影现象,并通过SILVACO TCAD软件对该结构进行数值仿真.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李天琦	哈尔滨工程大学信息与通信工程学院	1	3	1.0	1.0
2	马超龙	哈尔滨工程大学信息与通信工程学院	2	3	1.0	1.0
3	杨晓亮	哈尔滨工程大学信息与通信工程学院	1	3	1.0	1.0
4	杜斌	哈尔滨工程大学信息与通信工程学院	4	10	3.0	3.0