基于热像素的CCD电荷转移效率在轨测试方法

• 作者: 冯婕 文林 李豫东 郭旗
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: CCD 电荷转移效率 在轨测试 热像素 实时测量
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 辐射效应及加固技术
• 页码范围: 63-67
• 页数: 5页
• 分类号: O536|TN386.5
• 字数: 1865字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2017.040609

摘要

提出并建立了基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法,通过对在轨暗场测试采集到的任一幅图进行计算,统计热像素个数,计算出基于单个热像素的CCD单次电荷转移效率,最后计算求出N个电荷转移效率的均值.研究结果表明:CCD未经辐照时的电荷转移效率为0.999 999,在轨受空间辐射后,电荷转移效率降低到0.999 958.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭旗	中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室	50	338	10.0	16.0
2	冯婕	中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室	10	69	4.0	8.0
3	文林		3	2	1.0	1.0
4	李豫东	中国科学院新疆理化技术研究所	10	17	2.0	3.0