一维方势阱的扩展性讨论及应用

• 作者: 胡一帆
• 来源期刊: 物理通报
• 关键词: 方形势阱 超晶格 子能级 半导体激光器
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 大学物理教学
• 页码范围: 8-10
• 页数: 3页
• 字数: 1427字
• 语种: 中文

摘要

量子力学中的方势阱模型在半导体、激光、传感器等领域中有广泛的应用.本文通过对方形势阱模型的扩展性讨论,把量子力学的基本知识与一些最新量子器件相关的物理效应有机地结合起来,用通俗易懂的语言阐明了半导体激光器的微观物理机制,拓展了大学物理课程的教学内容.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡一帆	华中科技大学物理学院	3	10	2.0	3.0