用于SiC晶体生长的高纯原料的合成及性能研究

• 作者: 严成锋 刘熙 孔海宽 忻隽 施尔畏 郑燕青 陈建军 高攀
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC晶体 原料 粒径 堆积密度
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 819-823
• 页数: 5页
• 分类号: O78
• 字数: 3335字
• 语种: 中文

摘要

SiC原料的纯度、粒径和晶型直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC原料.本文采用超高温真空烧结炉,选择Si粉和C粉作为反应物,通过XRD、SEM、激光粒度测试仪和GDMS等测试手段研究了合成温度、压强、时间及原料配比等工艺条件对SiC颗粒成核、生长、晶型、粒径及堆积密度等综合性能的影响.结果表明,自合成的SiC原料一致性好、颗粒度均匀、纯度达到或超过5N.最后,使用自合成原料进行晶体生长,进一步证实其完全满足高质量半绝缘SiC晶体的制备.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施尔畏	中国科学院上海硅酸盐研究所	71	1736	25.0	41.0
2	陈建军	中国科学院上海硅酸盐研究所	38	446	13.0	20.0
3	郑燕青	中国科学院上海硅酸盐研究所	30	1071	15.0	30.0
4	严成锋	中国科学院上海硅酸盐研究所	11	73	5.0	8.0
5	高攀	中国科学院上海硅酸盐研究所	13	238	4.0	13.0
6	孔海宽	中国科学院上海硅酸盐研究所	5	8	2.0	2.0
7	忻隽	中国科学院上海硅酸盐研究所	7	21	2.0	4.0
8	刘熙	中国科学院上海硅酸盐研究所	7	9	2.0	2.0