基于朗缪尔探针的硅离子空间分布特性及纳米晶粒生长过程研究

• 作者: 丁学成 刘海燕 张晓龙 王英龙 秦爱丽 褚立志 邓泽超
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米Si晶薄膜 脉冲激光烧蚀 空间分布 朗缪尔探针
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 页码范围: 2686-2690
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2705字
• 语种: 中文

摘要

在室温、10 Pa氩气环境气体中,采用脉冲激光烧蚀技术,在以烧蚀点为圆心、半径为2 cm的玻璃弧形支架的不同角度处放置衬底,沉积了纳米Si晶薄膜.通过扫描电子显微镜、拉曼散射仪对制备样品的形貌和特性进行分析.结果表明:纳米Si晶粒以羽辉轴线为轴呈对称分布,在轴线处平均尺寸最大,随着衬底同轴线夹角的增加,晶粒尺寸逐渐减小.结合朗缪尔探针对空间不同位置羽辉中Si离子密度和热运动温度分布的诊断情况,从晶粒生长过程的角度对其尺寸随空间位置变化的结果进行了研究,得到了晶粒尺寸正比于烧蚀粒子密度和热运动温度的结论.