支持ONFI和Toggle模式的NAND Flash PHY设计

• 作者: 张蓉 徐静平 钟德刚
• 来源期刊: 计算机与数字工程
• 学科: 工学
• 关键词: ONFI Toggle 源同步 DDR 写通道 读通道
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 所属期刊栏目: 工程实践
• 页码范围: 2024-2026,2029
• 页数: 4页
• 分类号: TP393
• 字数: 2478字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn1672-9722.2013.12.044

摘要

论文设计了一种能支持ONFI 2.1与Toggle 1.0模式的NANDFlash PHY,完成了其读写通道、地址与控制逻辑的设计,并采用读门控电路消除DQS读前后的毛刺.功能仿真与静态时序分析结果表明,PHY的设计达到了ONFI与Toggle标准时序要求.NANDFlash PHY面积为45245.5μm2,动态功耗为1.16mW,静态功耗为95.8μW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静平	华中科技大学光学与电子信息学院	88	358	9.0	13.0
2	钟德刚	华中科技大学光学与电子信息学院	22	118	7.0	10.0
3	张蓉	华中科技大学光学与电子信息学院	30	158	7.0	12.0