催化剂辅助化学气相沉积法制备InN纳米线

• 作者: 郑春蕊
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: InN 纳米线 化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2013,（z1）
• 所属期刊栏目: 纳米合成材料
• 页码范围: 4-5,10
• 页数: 3页
• 分类号: TM23
• 字数: 1661字
• 语种: 中文

摘要

采用催化剂辅助化学气相沉积法,通过固-液-气(V-L-S)机理控制在硅衬底上制备了高质量的InN纳米线.利用FESEM、XRD、HRTEM对制备的InN纳米线的表面形貌和结构进行了表征.分析表明合成的InN纳米线为标准的六方纤锌矿结构,纳米线沿[102]方向生长.室温PL光谱表明,制备的InN纳米线在1580nm(0.78eV)处存在很强的无缺陷的带边发射,与六方纤锌矿结构InN单晶发射峰位置一致,表现出良好的光电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑春蕊	石家庄经济学院材料科学与工程研究所	9	136	5.0	9.0