分数维方法研究GaAs薄膜中的极化子*

• 作者: 严亮星 刘炳灿 李华 武振华 田强*
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 分数维方法 GaAs薄膜 极化子 低维异质结构
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 页码范围: 390-394
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.097302

摘要

本文采用分数维方法,在讨论Al0.3Ga0.7As衬底上GaAs薄膜的分数维基础上,计算了GaAs薄膜中的极化子结合能和有效质量.随着薄膜厚度的增加,极化子结合能和质量变化单调地减小.当薄膜厚度Lw<70?A并且衬底厚度Lb<200?A时,衬底厚度的变化对薄膜中极化子的结合能和质量变化的影响比较显著,随着衬底厚度的增加,薄膜中极化子的结合能和质量变化逐渐变大;当薄膜厚度Lw>70?A或者衬底厚度Lb>200?A时,衬底厚度的变化对薄膜中极化子的结合能和质量变化的影响不显著.研究结果为GaAs薄膜电子和光电子器件的研究和应用提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李华	装甲兵工程学院基础部	48	218	9.0	12.0
2	刘炳灿	装甲兵工程学院基础部	14	25	4.0	4.0
3	严亮星	北京师范大学物理系	3	1	1.0	1.0
4	武振华	北京师范大学物理系	1	1	1.0	1.0
5	田强*	北京师范大学物理系	1	1	1.0	1.0