脉冲激光沉积技术制备的钪型阴极的发射性能

• 作者: 彭真 李阳 王宇 王欣欣 郑强 阴生毅
• 来源期刊: 电子与信息学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 钪型阴极 半导体模型 脉冲激光沉积 非正常肖特基效应
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 754-757
• 页数: 4页
• 分类号: O462
• 字数: 3919字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1146.2013.00566

摘要

为提高阴极的发射性能以满足新型器件的需求，该文利用脉冲激光沉积技术制备了一种覆W+BaO-Sc-SrO薄膜的浸渍扩散阴极。实验测得了该阴极在不同温度下的伏安特性曲线，并探讨了发射机制。结果表明，在1100工作温度下，该阴极的零场发射电流密度达到305.5 A/cm22O3?C；阴极表面形成的Ba-Sc-Sr-O活性层是阴极获得高发射性能的主要原因。文章还利用半导体模型解释了该阴极的非正常肖特基效应。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王宇	中国科学院电子学研究所	211	1906	23.0	32.0
2	阴生毅	中国科学院电子学研究所	18	101	6.0	9.0
3	郑强	中国科学院电子学研究所	4	24	2.0	4.0
4	李阳	中国科学院电子学研究所	52	232	8.0	14.0
5	王欣欣	中国科学院电子学研究所	9	88	5.0	9.0
6	彭真	中国科学院电子学研究所	3	20	2.0	3.0