退火处理对ZnO纳米棒阵列的性能影响

• 作者: 任鑫 刘美玉 施利毅 曹娇 袁帅
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: P3HT∶PCBM ZnO纳米棒 杂化太阳电池 电沉积 退火处理
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 753-759,764
• 分类号: TB383
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2014.12.001

摘要

通过电沉积在ITO基底上制备了大规模ZnO纳米棒阵列.对ZnO纳米棒进行不同温度下的退火处理,然后通过旋转涂覆工艺将聚3-己基噻吩与[6,6]-苯基-C61丁酸甲酯(P3HT∶PCBM)的混合物沉积在纳米棒上组装成杂化太阳电池.应用扫描电子显微镜、X射线衍射、光致发光测试和光伏测试分析了退火处理对ZnO纳米棒及其组装的太阳电池性能的影响.发现退火处理除使ZnO纳米棒的光致可见光发射的强度有所改变外,还可以使发射峰中心从约580 nm的位置转移到约520 nm的位置,这说明退火处理不但可以改变ZnO纳米棒缺陷密度,还能改变缺陷类型.通过合适的退火处理,太阳电池的转换效率可提高17倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施利毅	上海大学纳米科学与技术研究中心	226	3075	30.0	40.0
2	袁帅	上海大学纳米科学与技术研究中心	13	48	4.0	6.0
3	任鑫	上海大学纳米科学与技术研究中心	10	6	1.0	2.0
4	曹娇	上海大学纳米科学与技术研究中心	4	4	1.0	2.0
5	刘美玉	上海大学纳米科学与技术研究中心	1	0	0.0	0.0