高温高压碳化硅功率器件封装技术研究

• 作者: 丁武昌 刘新宇 吴昊 杨成樾 杨谦 杨霏 许恒宇 赵妙 金智
• 来源期刊: 智能电网(汉斯)
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 封装 高温高压 声学扫描
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 页码范围: 252-258
• 页数: 7页
• 分类号: TN3

摘要

碳化硅电力电子器件在高温、高压环境下的应用需求,对封装技术提出更高的要求。本文从封装方式、封装基本材料、贴片材料和键合材料选择几个方面,介绍适用于碳化硅电力电子器件的封装方式。同时给出封装后器件的电学性能和声学扫描的结果。