半导体Si和GaAs的GW近似能带结构与BSE吸收光谱的研究

• 作者: 杨俊涛 熊永臣 罗时军 黄海铭
• 来源期刊: 湖北汽车工业学院学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 密度泛函理论 GW近似 BSE方程 激子效应
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 数理科学
• 页码范围: 64-67
• 页数: 4页
• 分类号: O471.5
• 字数: 2482字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-5483.2014.03.014

摘要

基于密度泛函理论，采用平面缀加波的广义密度近似的PBE泛函和准粒子近似的GW方法对典型的半导体硅Si和砷化镓GaAs的能带结构进行了研究；同时研究了Si和GaAs的光吸收谱，并利用多体微扰理论的Bethe-Salpeter方程(BSE)进行了修正。计算结果表明，准粒子近似的GW方法对Si和GaAs的能隙预测结果和实验值符合较好，考虑了电子-空穴对激子效应的GW-BSE多体微扰方法计算的Si和GaAs的介电函数吸收谱与实验谱符合最佳；研究说明激子效应在半导体光谱性质分析方面十分重要。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗时军	湖北汽车工业学院理学院	36	63	4.0	6.0
2	黄海铭	湖北汽车工业学院理学院	40	86	5.0	6.0
3	熊永臣	湖北汽车工业学院理学院	5	2	1.0	1.0
4	杨俊涛	湖北汽车工业学院理学院	8	6	1.0	2.0