光电探测器薄膜生长条件及机理分析

• 作者: 宋珍
• 来源期刊: 北京信息科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 苝四甲酸二酐 原子力显微镜 X射线光电子能谱
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 89-91
• 页数: 3页
• 分类号: TN304|O484.4
• 语种: 中文

摘要

将苝四甲酸二酐(3,4,9,10-perlenetetracrboxylic dianhydride,PTCDA)真空蒸发到无机半导体p-Si衬底上,研制的p-Si/PTCDA异质结光电探测器,对光照非常敏感,是一种响应度很高的宽带光电子元器件.讨论分析了不同的衬底制备条件制备p-Si/PTCDA异质结薄膜的情况,实验结果表明,制备过程中细微的环境变化,显著影响了器件质量,通过分析成膜质量与器件内部微观机制、能带结构、载流子输运之间的关系,确定制备异质结有机薄膜的硅晶面选择,以及衬底的温度最佳的选择范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋珍		3	0	0.0	0.0