SiCOH低k介质中低表面粗糙度沟道的刻蚀研究

• 作者: 叶超 崔进 钱侬
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiCOH低k介质 沟道刻蚀 双频容性耦合等离子体 表面粗糙度 沟道剖面结构
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 68-73
• 分类号: O539
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2014.01.14

摘要

采用60 MHz/2 MHz双频率驱动的容性耦合放电等离子体技术,以C2F6/O2/Ar为刻蚀气体,开展了SiCOH低k介质中刻蚀低表面粗糙度沟道的研究.主要研究了O2/C2F6流量比对与SiCOH低k薄膜之间的刻蚀选择性的影响,以及O2/C2F6流量比、下电极功率对沟道刻蚀特性的影响.发现在O2/CF6流量比为0.1以下时,光致抗蚀剂掩膜层与SiCOH低k薄膜之间具有较好的刻蚀选择性.对于沟道刻蚀,在O/C2F6流量比为0.1时,下电极功率对沟道的表面粗糙度和剖面结构具有明显的影响.在下电极功率为30W时,刻蚀的沟道底部平坦、沟道壁陡直,槽形完好,沟道底面的平均表面粗糙度降低至3.32 nm,因此,可以在SiCOH低k薄膜中刻蚀剖面结构完整的低表面粗糙度沟道.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶超	苏州大学物理科学与技术学院	33	244	10.0	14.0
2	钱侬	苏州大学物理科学与技术学院	6	7	2.0	2.0
3	崔进	苏州大学物理科学与技术学院	1	2	1.0	1.0